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参数资料
| 型号： | 08090 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz |
| 中文描述： | LDMOS射频功率场效应晶体管90瓦，869-960兆赫 |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | 08090 |
Data Sheet
6
2004-04-05
PTF080901
Test Circuit
Test Circuit Schematic for 960 MHz
Circuit Assembly Information
DUT
PTF080901
LDMOS Transistor
PCB
0.76 mm. [.030”] thick,
ε
r = 4.5
2 oz. copper
Rogers TMM4
Microstrip
Electrical Characteristics at 960 MHz
Dimensions: L x W (mm.)
Dimensions: L x W (in.)
l1
0.075
λ, 50
12.83 x 1.35
0.505 x 0.053
l2
0.101
λ, 50
17.27 x 1.35
0.680 x 0.053
l3
0.053
λ, 50
9.14 x 1.35
0.360 x 0.053
l4
0.289
λ, 73.66
50.80 x 0.75
2.000 x 0.030
l5
0.061
λ, 7.48
9.27 x 16.26
0.365 x 0.640
l6
0.097
λ, 7.93
14.73 x 15.24
0.580 x 0.600
l7, l8
0.132
λ, 52.47
22.61 x 1.27
0.890 x 0.050
l9
0.105
λ, 7.93
16.13 x 15.24
0.635 x 0.600
l10
0.134
λ, 38.02
22.35 x 2.16
0.880 x 0.085
l11
0.029
λ, 50
4.95 x 1.37
0.195 x 0.053
QQ1
LM7805
1F
C8
C16
33pF
C17
RF_IN
1.4pF
C13
DUT
2.2pF
C12
33pF
C7
L2
35V
C18
C19
50V
C20
L1
C15
33pF
C14
0.5pF
C9
10F
35V
0.1F
50V
C10
RF_OUT
080901_sch
1F
10F
0.1F
5.1 k
V
R2
33 pF
C3
10 F, 35 V
C1
0.001 F
C23
l1
l2
l3
l5
l8
l6
l7
l9
l10
l4
l11
VDD
22 k
V
R6
10 k
V
R5
3.3 k
V
R7
1.2 k
V
R3
Q1
BCP56
33pF
C4
4.3pF
C5
C6
6.2pF
10F
35V
C11
1.3 k
V
R4
0.001 F
C21
0.001 F
C22
0.1 F
50 V
C2
10
V
R1
+
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