配单专家企业名单

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说明
操作

1N6626UE3
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512微信同号
地址：上步工业区501栋410室
50000
MICROSEMI/美高森美
SQ-MELF
23+
-
原装正品欢迎咨询

1N6626UE3
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
39888
MICROSEMI
MELF
21+
-
原厂原装现货

1N6626UE3
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
MICROSEMI
SQ-MELF
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1N6626UE3
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4210
MICROSEMI
MELF
2209+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

1N6626UE3
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
MICROSEMI
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

1N6626UE3
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
59880
MICROSEMI/美高森美
SMD
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

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1N6626UE3 技术参数

1N6626 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:220V 电流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 220V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6625US 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.75V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6625E3 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.95V @ 1.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:80ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:A，轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6625 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.75V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6624US 功能描述:DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:990V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.55V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 990V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US 1N6636 1N6636US 1N6637 1N6637US 1N6638 1N6638US 1N6638US/TR