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1N963BRR1

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  • 深圳市煌盛达科技有限公司
    深圳市煌盛达科技有限公司

    联系人:贺小姐

    电话:18948314511

    地址:平湖华南城华利嘉

    资质:营业执照

  • 12000

  • ON SEMICONDUCTOR

  • 原厂原封装

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
  • Diode Zener Single 12V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R
1N963BRR1 技术参数
  • 1N963B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N963B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N963B TR 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11.5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N963B BK 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11.5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N963B 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AA,DO-7,轴向 供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N965B 1N965B BK 1N965B TR 1N965B_S00Z 1N965B_T50A 1N965B_T50R 1N965BE3 1N965BTR 1N966A 1N966B 1N966B TR 1N966B_S00Z 1N966B_T50A 1N966B_T50R 1N966BTR 1N967A 1N967B 1N967B BK
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