参数资料
型号: 1N2059
厂商: Vishay Semiconductors
文件页数: 1/3页
文件大小: 0K
描述: DIODE STD REC 300V 250A DO-9
标准包装: 10
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 300V
电流 - 平均整流 (Io): 250A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 250A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 17mA @ 300V
安装类型: 底座,接线柱安装
封装/外壳: DO-205AB,DO-9,接线柱
供应商设备封装: DO-205AB,DO-9
包装: 散装
Data sheet No. PD-2.018c
INTERNATIONAL RECTI FIE R l
1Nao54, 1Na735 sEn|Es
250 Amp Avg power silicon Rectifier Diodes
Major Ratings and characierislics Description and Feaiures
I Popular D0—9 package
I Voltage ratingsfrom
50 to 1200 Volts
1300000
‘O0’-1200'
1300000
50"1000'
'.iEDEC reglsiarsd Values.
11.51 (0.453) 19.18B-74
10 74 0-“ii (0.755)CASE STYLE AND DIMENSIONS M2 (mm13.46 l0.530i
Max.
i WAX... 7/u
7. I1 .94 :0 475
5.89 (0.360)
8.58 l0.33BiD|A
149. 80]
134. 30)27.94 11.10)
DIA. MAX.
9.14 [O.360i
7.87 (0.310
31.7 250)
. 2302C ‘Sm 19.02 i0.
FL DIA. M .
31,75 (1.250) MAX.
ACROSS FLATS ‘ 3/4.15 UNF.2A coniernetu JEDEC amlme Do-2o5AB iDD-9) (IR BA13)
Dimensions in Miliimatars and (Inches)
Reier in page B-78 fur additional case style.
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PDF描述
1N3064TR DIODE SGL JUNCT 75V 4.0NS DO-35
1N3070TR DIODE SGL JUNCT 200V SW DO-35
1N3087R DIODE STD REC 300V 150A DO-30
1N3276R RECTIFIER STUD 1600V 160A DO-9
1N3290R DIODE STD REC 300V 100A DO-8
相关代理商/技术参数
参数描述
1N2059R 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:300V 275A 2PIN DO-9 - Bulk
1N205G 制造商:CHENYI 制造商全称:Shanghai Lunsure Electronic Tech 功能描述:GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER
1N206 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon diode
1N2060 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:350V 275A 2PIN DO-9 - Bulk
1N2060R 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:350V 275A 2PIN DO-9 - Bulk