参数资料
型号: 1N3290R
厂商: Vishay Semiconductors
文件页数: 3/3页
文件大小: 0K
描述: DIODE STD REC 300V 100A DO-8
标准包装: 25
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 300V
电流 - 平均整流 (Io): 100A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.5V @ 100A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 24mA @ 300V
安装类型: 底座,接线柱安装
封装/外壳: DO-205AA,DO-8,接线柱
供应商设备封装: DO-205AA(DO-8)
包装: 散装
其它名称: *1N3290R
VS-1N3290R
VS-1N3290R-ND
VS1N3290R
VS1N3290R-ND
} INTEHNAHONAL RECTIFIER
AVERAGE FORWARD CURRENT OVER
FULL CVDLE (AMPEREST
Fig. 1 — Average Forward current Vs case Temperature
(sinusoidal current waveform)
NORMALIZED PEAK HALF SINE WAVE
FORWARD CURRENT (PER UN|T)
140
12
100
m
G
as
OA
O
k!
D
O
0.9‘
0.8?,lN328
070.6~
0.5
04
9
LJ1 N3288, 1N3288A series
0
FULLCYCLE (AMPERES)
O 20 40 60 80 100
MAXTMUM ALLOWABLE CASE TEMPERATURE (OCT Fig. 2 — Average Forward current Vs Case Temperature
.:7H
328
mmNUMBER OF EQUAL AMPLTTUDE
AT ANV RATED LOAD CDNDITIDN AND WITH J
RATED VRRM APPLIED FOLLOWING SURGE.AVERAGE FORWARD CURRENT OVER
AU 60 80 180 200
100 I20 140
MAx|MUM ALLOWABLE CASE TEMPERATURE (DC)
120 140 160 180 200 0 20 160
(Rectangular current waverorm)
W- , _r. EQ 4 T
0 Tu- 410’
u.ID
L LLI 4
r ‘ r o
T PART No. PERUNR 9A§EVA 1 3 a
‘ 8 1600 1 3'0‘W EWML , _ “ 2'10-‘, WHL, E 41* 3
BA 2300 4 ‘L11 E 4LIJ'—A—— + EEL . A4 ?.04 W ‘
5
, E104
20 40 60 5 10‘ 4104 4 1 4 10 4101 410
SQUARE WAVE PULSE DURATION ISECONDST
CURRENT PU LSES (N)
Fig. 3 — Maximum Non-Repetitive Normalized
Surge Current Vs, Number of Current Pulses
|NsTANTAN EOUS FORWARD CURRENT
IAMPERES)
Fig. 4 —- Maximum Transient Thermal Impedance,
Junction-to—cuse, Vs. Pulse Duration
III
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2 5 3 0 3,5(VOLTSI
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE
Fig. 5 — Maximum Forward voltage
Vs Forward current
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