参数资料
型号: 1N4001GP
厂商: MICROSEMI CORP
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
文件页数: 2/3页
文件大小: 238K
代理商: 1N4001GP
Average Forward Rectified Current - Amperes versus
Ambient Temperature -
°C
Figure 2
Forward Derating Curve
0
175
50
75
100
125
0
.2
.4
.6
Single Phase, Half Wave
60Hz Resistive or Inductive Load
Amps
°C
150
.8
1.0
1.2
Junction Capacitance - pF versus
Reverse Voltage - Volts
Instantaneous Forward Current - Amperes versus
Instantaneous Forward Voltage - Volts
Figure 1
Typical Forward Characteristics
4
6
20
10
Amps
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
.01
.02
.04
.06
.1
.2
.4
.6
1
2
25
°C
Volts
Figure 3
Junction Capacitance
.1
.2
1
.4
2
10
20
40
4
100
200
1
2
6
10
20
100
pF
Volts
60
40
4
400
1000
TJ=25
°C
1N4001GP thru 1N4007GP
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