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参数资料
| 型号： | 1N4003GP/91 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 封装： | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 329K |
| 代理商： | 1N4003GP/91 |
www.vishay.com
2
Document Number 88504
14-Sep-05
1N4001GP thru 1N4007GP
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Thermal Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Notes:
(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted
* JEDEC registered values
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol 1N4001GP 1N4002GP 1N4003GP 1N4004GP 1N4005GP 1N4006GP 1N4007GP
Unit
Maximum
instantaneous
forward voltage
at 1.0 A
VF
1.1
V
* Maximum DC
reverse current
at rated DC
blocking voltage
TA=25°C
TA = 125 °C
IR
5.0
50
A
Typical reverse
recovery time
at IF = 0.5 A,
IR = 1.0 A,
Irr = 0.25 A
trr
2.0
s
Typical junction
capacitance
at 4.0 V, 1 MHz
CJ
8.0
pF
Parameter
Symbol 1N4001GP 1N4002GP 1N4003GP 1N4004GP 1N4005GP 1N4006GP 1N4007GP
Unit
Typical thermal resistance (1)
RθJA
RθJL
55
25
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
25
50
75
100
125
150
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.375" (9.5mm)
Lead Length
60 Hz
Resistive or
Inductive Load
Ambient Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
Figure 2. Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current
5.0
1
10
100
10
15
20
25
30
TJ = TJ max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4003GP/66 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 1N4001 | SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4002GP.TR | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4007GPT26A | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4003CSM4-JQR-BG4 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4003GPE/3 | 功能描述:整流器 Vr/200V Io/1A Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4003GPE/4 | 功能描述:整流器 Vr/200V Io/1A Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4003GPE/54 | 功能描述:整流器 Vr/200V Io/1A Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4003GP-E3/1 | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4003GP-E3/23 | 功能描述:整流器 Vr/200V Io/1A Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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