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参数资料
| 型号： | 1N4006FFG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 96K |
| 描述： | DIODE STD FAN 1A 800V DO-41 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 800V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 1A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 800V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-41 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
    1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006, 1N4007 http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 Unit ?Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage VRRM VRWM VR 50 100 200 400 600 800 1000 V ?Non?Repetitive Peak Reverse Voltage (halfwave, single phase, 60 Hz) VRSM 60 120 240 480 720 1000 1200 V ?RMS Reverse Voltage VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V ?Average Rectified Forward Current (single phase, resistive load, 60 Hz, TA = 75 °C) IO 1.0 A ?Non?Repetitive Peak Surge Current (surge applied at rated load conditions) IFSM 30 (for 1 cycle) A Operating and Storage Junction Temperature Range TJ Tstg ?65 to +175 °C Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t he Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. ?Indicates JEDEC Registered Data THERMAL CHARACTERISTICS Rating Symbol Max Unit Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Ambient RJA Note 1 °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS? Rating Symbol Typ Max Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage Drop, (iF = 1.0 Amp, T J = 25 °C) vF 0.93 1.1 V Maximum Full?Cycle Average Forward Voltage Drop, (IO = 1.0 Amp, T L = 75 °C, 1 inch leads) VF(AV) ? 0.8 V Maximum Reverse Current (rated DC voltage) (TJ = 25 °C) (TJ = 100 °C) IR 0.05 1.0 10 50 A Maximum Full?Cycle Average Reverse Current, (IO = 1.0 Amp, T L = 75 °C, 1 inch leads) IR(AV) ? 30 A ?Indicates JEDEC Registered Data |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4007G-T | RECTIFIER GPP 1000V 1A DO-41 |
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| 1N4048R | DIODE STD REC 250V 275A DO-9 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4006G | 功能描述:整流器 800V 1A Standard RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4006-G | 功能描述:整流器 VR=800V, IO=1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4006G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| 1N4006G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
| 1N4006G BK | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束 标准包装:2,000 |
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