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参数资料
| 型号： | 1N4148-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 83K |
| 描述： | DIODE FAST SW 150MA 75V DO-35 |
| 产品培训模块： | Flat Chip Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 150mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1571 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 641-1313-6 |
             RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (1N4148-G) Page 2 QW-B0050 REV:A Switching Diode Percent of Rated Peak Reverse Voltage, (%) I n s t a n t a n e o u s R e v e r s e C u r r e n t , ( u A ) TJ=100°C 010 20 40 60 80 100 120 140 100 10 1.0 0.1 0. Fig.1 - Maximum Forward Current A v e r a g e F o r w a r d C u r r e n t , ( m A ) Ambient Temperature, (°C) 250 200 150 100 50 1 10 100 Fig.2 - Maximum Non-Repetitive Forward Surge Current Per Bridge Elelment P e a k F o r w a r d S u r g e C u r r e n t , ( A ) Number of Cycles at 60 Hz TJ=150 °C Fig.3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Bridge Element Instantaneous Forward Voltage, (V) I n s t a n t a n e o y s F o r w a r d C u r r e n t , ( m A ) 0.10.3 0 .5 0.7 0 100 200 0.9 1.1 1.3 Fig.4 - Typical Reverse Characteristics Per Bridge Element 0 3.5 2.5 2.0 1.0 0 1000 100 10 1.0 Derating Curve 0.5 1.5 3.0 8.3ms Single Half Sine Wave JEDEC Method TJ=150 °C TJ=25°C TJ=25°C Fig.5 - Reverse Recover Time Characteristics and Test Circuit Diagarm (+) (+) 50Vdc (approx.) ( ) ( ) PULSE GENERATOR (NOTE 2) OSCILLISCOPE (NOTE 1) 1W NON- INDUCTIVE NOTES: 1. Rise Time= 7ns max. Input Impedance= 1 megohm.22pF. 2. Rise Time= 10ns max. Source Impedance= 50 ohms. D.U.T. 10W NONINDUCTIVE 50W NONINDUCTIVE +0.5A 0 -0.25A -1.0A | | | | | | | | 1cm SET TIME BASE FOR 50 / 10ns / cm trr Comchip Technology CO., LTD. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4148-T | DIODE SWITCHING 75V 500MW DO-35 |
| 1N4148W-13-F | DIODE 100V 150MA SOD123 |
| 1N4148WT-7 | DIODE SWITCH 100V 150MW SOD-523 |
| 1N4149TR | DIODE SGL JUNCT 100V 4.0NS DO-35 |
| 1N4448HLP-7 | DIODE SW GP 80V 250MW 2-DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4148GPS | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SMALL SIGNAL DIODE GEN PURPOSE DO35 |
| 1N4148J | 制造商: 功能描述: |
| 1N4148JANTXV | 制造商:Microwave Semiconductor 功能描述: |
| 1N4148JTX | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 1N4148PA | 功能描述:整流器 DISC BY MFG 7/03 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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