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参数资料
型号： 1N5402GP
厂商： MICROSEMI CORP
元件分类： 整流器
英文描述： 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
文件页数： 2/3页
文件大小： 38K
代理商： 1N5402GP
Average Forward Rectified Current - Amperes versus
Ambient Temperature -
°C
Figure 2
Forward Derating Curve
0
175
50
75
100
125
0
.5
1.0
1.5
Single Phase, Half Wave
60Hz Resistive or Inductive Load
Amps
°C
150
2
2.5
3.0
Junction Capacitance - pF versus
Reverse Voltage - Volts
Instantaneous Forward Current - Amperes versus
Instantaneous Forward Voltage - Volts
Figure 1
Typical Forward Characteristics
4
6
20
10
Amps
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
.01
.02
.04
.06
.1
.2
.4
.6
1
2
25
°C
Volts
Figure 3
Junction Capacitance
.1
.2
1
.4
2
10
20
40
4
100
200
1
2
6
10
20
100
pF
Volts
60
40
4
400
1000
TJ=25
°C
1N5400GP thru 1N5408GP
相关PDF资料
PDF描述
1N5404GP 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5408GP 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5400G 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5406G 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5400TR 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
相关代理商/技术参数
参数描述
1N5402GP-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,200
1N5402G-T 功能描述:整流器 3.0A 100V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
1N5402K 制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:Silicon Rectifiers
1N5402-LFR 制造商:FRONTIER 制造商全称:Frontier Electronics. 功能描述:3A GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER
1N5402R0 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD
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