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参数资料
| 型号： | 1N5402GP |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 1N5402GP |
1
100
4
0
50
100
150
8
Figure 5
Peak Forward Surge Current
Peak Forward Surge Current - Amperes versus
Number Of Cycles At 60Hz - Cycles
Amps
Cycles
2
6
10
20
60 80
40
200
250
300
Figure 4
Typical Reverse Characteristics
Instantaneous Reverse Leakage Current - MicroAmperes versus
Percent Of Rated Peak Reverse Voltage - Volts
Volts
4
6
20
10
Amps
20
120
40
60
80
100
.01
.02
.04
.06
.1
.2
.4
.6
1
2
TA=25
°C
40
60
100
140
1N5400GP thru 1N5408GP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5404GP | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5408GP | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5400G | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5406G | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5400TR | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5402GP-TP | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,200 |
| 1N5402G-T | 功能描述:整流器 3.0A 100V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5402K | 制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:Silicon Rectifiers |
| 1N5402-LFR | 制造商:FRONTIER 制造商全称:Frontier Electronics. 功能描述:3A GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER |
| 1N5402R0 | 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD |
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