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参数资料
| 型号： | 1N5819RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | 1N5819RL |
1N581x
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5
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25
30
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
IR(mA)
1N5817
1N5818
VR(V)
Tj=100°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Fig. 8-1: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values) (1N5817/1N5818).
0
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1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
IR(mA)
VR(V)
Tj=100°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Fig. 8-2: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values) (1N5819).
0.0
0.1
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0.5
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0.7
0.8
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0.01
0.10
1.00
10.00
IFM(A)
VFM(V)
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Fig. 9-1: Forward voltage drop versus forward
current (typical values) (1N5817/1N5818).
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
0.01
0.10
1.00
10.00
IFM(A)
VFM(V)
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Fig. 9-2: Forward voltage drop versus forward
current (typical values) (1N5819).
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
IFSM(A)
Number of cycles
F=50Hz
Tj initial=25°C
Fig. 10: Non repetitive surge peak forward current
versus number of cycles.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5818 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N5818 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N5818 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N5819-1S | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5819-1V | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5819RLG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 40V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1N5819RLG-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:1N5819 Series 40 V 1 A Schottky Rectifier Diode - DO-201AD |
| 1N5819S | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 1N5819SF | 制造商:GXELECTRONICS 制造商全称:Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd. 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage 20 to 40 Volts Forward Current - 1.0Ampere |
| 1N5819SX | 制造商:Microwave Semiconductor 功能描述: |
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