收藏本站
参数资料
型号： 1N6379RL4
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
中文描述： 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封装： PLASTIC, MOSORB, CASE 41A-04, 2 PIN
文件页数： 3/8页
文件大小： 85K
代理商： 1N6379RL4
1N6373 1N6381 Series (ICTE5 ICTE36, MPTE5 MPTE45)
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted, V
F
= 3.5 V Max. @ I
F
(Note 3)
= 100 A)
JEDEC
Device
(ON Device)
Device
Marking
V
RWM
(Note 4)
I
R
@
V
RWM
Breakdown Voltage
V
C
@ I
PP
(Note 6)
V
C
(Volts)
(Note 6)
V
BR
V
BR
(Note 5
)
(Volts)
@ I
T
V
C
I
PP
@ I
PP
=
1 A
@ I
PP
=
10 A
(Volts)
( A)
Min
Nom
Max
(mA)
(Volts)
(A)
(mV/
°
C)
1N6373, G
(MPTE5, G)
1N6373
MPTE5
5.0
300
6.0
1.0
9.4
160
7.1
7.5
4.0
1N6374, G
(MPTE8, G)
1N6374
MPTE8
8.0
25
9.4
1.0
15
100
11.3
11.5
8.0
1N6375, G
(MPTE10,G)
1N6375
MPTE10
10
2.0
11.7
1.0
16.7
90
13.7
14.1
12
1N6376, G
(MPTE12, G)
1N6376
MPTE12
12
2.0
14.1
1.0
21.2
70
16.1
16.5
14
1N6377, G
(MPTE15, G)
1N6377
MPTE15
15
2.0
17.6
1.0
25
60
20.1
20.6
18
1N6379, G
(MPTE22, G)
1N6379
MPTE22
22
2.0
25.9
1.0
37.5
40
29.8
32
26
1N6380, G
(MPTE36, G)
1N6380
MPTE36
36
2.0
42.4
1.0
65.2
23
50.6
54.3
50
1N6381, G
(MPTE45, G)
1N6381
MPTE45
45
2.0
52.9
1.0
78.9
19
63.3
70
60
ICTE5, G
ICTE10, G
ICTE12, G
ICTE5
ICTE10
ICTE12
5.0
10
12
300
2.0
2.0
6.0
11.7
14.1
1.0
1.0
1.0
9.4
16.7
21.2
160
90
70
7.1
13.7
16.1
7.5
14.1
16.5
4.0
8.0
12
ICTE15, G
ICTE18, G
ICTE22, G
ICTE36, G
3. Square waveform, PW = 8.3 ms, nonrepetitive duty cycle.
4. A transient suppressor is normally selected according to the maximum working peak reverse voltage (V
RWM
), which should be equal to or
greater than the dc or continuous peak operating voltage level.
5. V
BR
measured at pulse test current I
T
at an ambient temperature of 25
°
C and minimum voltage in V
BR
is to be controlled.
6. Surge current waveform per Figure 5 and derate per Figures 1 and 2.
The “G’’ suffix indicates PbFree package available.
ICTE15
ICTE18
ICTE22
ICTE36
15
18
22
36
2.0
2.0
2.0
2.0
17.6
21.2
25.9
42.4
1.0
1.0
1.0
1.0
25
30
37.5
65.2
60
50
40
23
20.1
24.2
29.8
50.6
20.6
25.2
32
54.3
14
18
21
26
相关PDF资料
PDF描述
1N6379RL4G 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
1N6380G 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
1N6380RL4 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
1N6380RL4G 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
1N6381G 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
相关代理商/技术参数
参数描述
1N6379RL4G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 25.9V 1500W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6380 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 42.2V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6380G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 42.2V 1500W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6380G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode
1N6380RL4 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 42.2V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*