参数资料
型号: 1SS355VMTE-17
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 517K
描述: DIODE 80V 100MA UMD2
产品培训模块: Diodes Overview
标准包装: 3,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 80V
电流 - 平均整流 (Io): 100mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 80V
电容@ Vr, F: 3pF @ 0.5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-90,SOD-323F
供应商设备封装: UMD2
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 1SS355VMTE-17-ND
1SS355VMTE-17TR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
1SS355VM
 
0.1
1
10
0
10
20
30
0.1
1
10
100
1000
10000
0
20
40
60
80
0.01
0.1
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
FORWARD VOLTAGE:VF(V)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:I
F
(mA)
Ta=125°C
Ta=-25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
Ta=125°C
Ta=-25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
f=1MHz
860
870
880
890
900
910
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:V
F
(mV)
AVE:875.6mV
Ta=25°C
IF=100mA
n=30pcs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
IR
DISPERSION MAP
Ta=25°C
VR=80V
n=30pcs
AVE:18.8nA
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
AVE:0.817pF
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
Ta=25°C
VR=0.5V
f=1MHz
n=10pcs
2/4
2011.12
- Rev.A
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PDF描述
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