参数资料
型号: 1SS355VMTE-17
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 517K
描述: DIODE 80V 100MA UMD2
产品培训模块: Diodes Overview
标准包装: 3,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 80V
电流 - 平均整流 (Io): 100mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 80V
电容@ Vr, F: 3pF @ 0.5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-90,SOD-323F
供应商设备封装: UMD2
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 1SS355VMTE-17-ND
1SS355VMTE-17TR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
1SS355VM
 
0
5
10
15
20
AVE:3.62A
8.3ms
IFSM
1cyc
IFSM
DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
0
1
2
3
4
5
6
AVE:3.06ns
Ta=25°C
VR=6V
IF=10mA
RL=100Ω
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
1
10
1
10
100
8.3ms
IFSM
1cyc
8.3ms
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
0
5
10
15
0.1
1
10
100
t
IFSM
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
1
10
100
1000
0.001
0.1
10
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
Mounted on epoxy board
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE:Rth (
°
C
/W)
0.00
0.10
0.20
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.20
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
DC
D=1/2
Sin(θ=180)
3/4
2011.12
- Rev.A
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PDF描述
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参数描述
1SS355WTE-17 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIODE SMD 80V 100MA SOD-323
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1SS356_ R2 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1SS356_09 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT PIN DIODE