配单专家企业名单

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封装
批号
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说明
操作

2SA999L
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
10000
TOS/FSC/NEC
TO-92
15+
-
原装正品，假一罚十

2SA999
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NULL
TO-92
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

2SA999
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13488
SANYO
TO-92
2024+
-
一级代理商原装现货

2SA999
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
25924
SANYO/三洋
TO-92
21+
-
原厂原装现货

2SA999
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
MIT
TO92
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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制造商
Panasonic Industrial Company
功能描述
TRANSISTOR

2SA999 技术参数

2SA965-Y,T6KOJPF(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:LSTM 标准包装:1 2SA965-Y,T6F(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:LSTM 标准包装:1 2SA965-Y,SWFF(M 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:LSTM 标准包装:1 2SA965-Y,F(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:LSTM 标准包装:1 2SA965-Y(T6CANO,FM 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:LSTM 标准包装:1 2SAR512PT100 2SAR512RTL 2SAR513P5T100 2SAR513PFRAT100 2SAR513PT100 2SAR513RTL 2SAR514P5T100 2SAR514PFRAT100 2SAR514PT100 2SAR514RTL 2SAR522EBTL 2SAR522MT2L 2SAR522UBTL 2SAR523EBTL 2SAR523MT2L 2SAR523UBTL 2SAR533P5T100 2SAR533PFRAT100

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