配单专家企业名单

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说明
操作

2SK1083MR
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
10000
FUJI
TO-220F
15+
-
原装正品，假一罚十

2SK1083MR
深圳市德江源电子有限公司
深圳市德江源电子有限公司
联系人：张先生
电话：8296641615986789713
地址：深圳市福田区华强北街道振华路100号深纺大厦C座1A层1A621室
资质：营业执照
58000
FUJITSU/富士通
TO-3P
10+
-
只做原装，假一赔十

2SK1083MR
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
FUJITSU/富士通
220F
23+
-
原装正品欢迎咨询

2SK1083MR
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
23569
FUJITSU/富士通
220F
21+
-
原厂原装现货

2SK1083MR
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
25800
FUJITSU/富士通
TO-3P
11+
-
新到货原装特价超低价出售

2SK1083MR
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
69860
FUJI/富士电机
2020+
-
大中華區授權代理可接受訂貨

2SK1083MR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
FUJITSU
TO-220F
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
LOGIC LEVEL MOSFET

2SK1083MR 技术参数

2SK1058-E 功能描述:MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:160V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK0665G0L 功能描述:MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 欧姆 @ 20mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:S迷你型3-F2 标准包装:1 2SK066500L 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 欧姆 @ 20mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:S迷你型3-G1 标准包装:1 2SK0664G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 欧姆 @ 20mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:S迷你型3-F2 标准包装:1 2SK066400L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 欧姆 @ 20mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:S迷你型3-G1 标准包装:1 2SK1374G0L 2SK1518-E 2SK1775-E 2SK1828TE85LF 2SK1829TE85LF 2SK1835-E 2SK1859-E 2SK2009TE85LF 2SK2034TE85LF 2SK2035(T5L,F,T) 2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) 2SK2094TL 2SK2095N 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F)

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