参数资料
型号: 25LC512T-I/MF
厂商: Microchip Technology
文件页数: 3/36页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 512KBIT 20MHZ 8DFN
标准包装: 3,300
格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 512K (64K x 8)
速度: 20MHz
接口: SPI 3 线串行
电源电压: 2.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-DFN-S(6x5)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 25LC512T-I/MFTR
25LC512
TABLE 1-2:
AC CHARACTERISTICS
AC CHARACTERISTICS
Industrial (I):
Automotive (E):
T A = -40°C to +85°C
T A = -40°C to +125°C
V CC = 2.0V to 5.5V
V CC = 2.5V to 5.5V
Param.
No.
1
Sym.
F CLK
Characteristic
Clock frequency
Min.
Max.
20
Units
MHz
Conditions
4.5V ?? V CC ?? 5.5V (I)
10
MHz
2.5V ?? V CC ?? 5.5V (I, E)
2
T CSS
CS setup time
25
ns
4.5V ?? V CC ?? 5.5V (I)
50
ns
2.5V ?? V CC ?? 5.5V (I, E)
3
4
5
T CSH
T CSD
Tsu
CS hold time
CS disable time
Data setup time
50
100
50
5
ns
ns
ns
ns
4.5V ?? V CC ?? 5.5V (I)
2.5V ?? V CC ?? 5.5V (I, E)
4.5V ?? V CC ?? 5.5V (I)
10
ns
2.5V ?? V CC ?? 5.5V (I, E)
6
T HD
Data hold time
10
ns
4.5V ?? V CC ?? 5.5V (I)
20
ns
2.5V ?? V CC ?? 5.5V (I, E)
7
8
9
T R
T F
T HI
CLK rise time
CLK fall time
Clock high time
25
20
20
ns
ns
ns
(Note 1)
(Note 1)
4.5V ?? V CC ?? 5.5V (I)
50
ns
2.5V ?? V CC ?? 5.5V (I, E)
10
T LO
Clock low time
25
ns
4.5V ?? V CC ?? 5.5V (I)
50
ns
2.5V ?? V CC ?? 5.5V (I, E)
11
12
13
T CLD
T CLE
T V
Clock delay time
Clock enable time
Output valid from clock low
50
50
25
ns
ns
ns
4.5V ?? V CC ?? 5.5V (I)
50
ns
2.5V ?? V CC ?? 5.5V (I, E)
14
15
T HO
T DIS
Output hold time
Output disable time
0
25
ns
ns
(Note 1)
4.5V ?? V CC ?? 5.5V (I)
50
ns
2.5V ?? V CC ?? 5.5V (I, E)
16
17
T HS
T HH
HOLD setup time
HOLD hold time
10
20
10
ns
ns
ns
4.5V ?? V CC ?? 5.5V (I)
2.5V ?? V CC ?? 5.5V (I, E)
4.5V ?? V CC ?? 5.5V (I)
20
ns
2.5V ?? V CC ?? 5.5V (I, E)
18
T HZ
HOLD low to output
High-Z
15
30
ns
ns
4.5V ?? V CC ?? 5.5V (I)
2.5V ?? V CC ?? 5.5V (I, E)
(Note 1)
19
T HV
HOLD high to output valid
15
ns
4.5V ?? V CC ?? 5.5V (I)
30
ns
2.5V ?? V CC ?? 5.5V (I, E)
20
21
T REL
T PD
CS High to Standby mode
CS High to Deep power-
100
100
? s
? s
down
22
23
24
T CE
T SE
T WC
Chip erase cycle time
Sector erase cycle time
Internal write cycle time
10
10
5
ms
ms
ms
Byte or Page mode and Page
Erase
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.
2: This parameter is not tested but established by characterization and qualification. For endurance
estimates in a specific application, please consult the Total Endurance? Model, which can be obtained
from Microchip’s web site at www.microchip.com.
? 2010 Microchip Technology Inc.
DS22065C-page 3
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参数描述
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25LC640/S 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64k, 8K x 8, 2.5V SER EE DIE in WAFFLE PK RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC640/W 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:64K, 8K X 8, 2.5V SER EE WAFER - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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