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参数资料
| 型号： | 2KBP06M-E4/51 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | 2KBP06M-E4/51 |
2KBP005M thru 2KBP10M, 3N253 thru 3N259
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88532
Revision: 15-Apr-08
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1
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
FEATURES
UL recognition file number E54214
Ideal for printed circuit board
High surge current capability
High case dielectric strength
Solder dip 260 °C, 40 s
Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
General purpose use in ac-to-dc bridge full wave
rectification
for
switching
power
supply,
home
appliances, office equipment, and telecommunication
applications.
MECHANICAL DATA
Case: KBPM
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals:
Silver
plated
leads,
solderable
per
J-STD-002 and JESD22-B102
E4 suffix for consumer grade
Polarity: As marked on body
e4
PRIMARY CHARACTERISTICS
IF(AV)
2 A
VRRM
50 V to 1000 V
IFSM
60 A
IR
5 A
VF
1.1 V
TJ max.
165 °C
Case Style KBPM
+~
~
+
~
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
2KBP
005M
2KBP
01M
2KBP
02M
2KBP
04M
2KBP
06M
2KBP
08M
2KBP
10M
UNIT
3N253
3N254
3N255
3N256
3N257
3N258
3N259
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
50
100
200
400
600
800
1000
V
Maximum RMS voltage
VRMS
35
70
140
280
420
560
700
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
50
100
200
400
600
800
1000
V
Max. average forward output rectified current
at TA = 55 °C
IF(AV)
2.0
A
Peak forward surge current single half
sine-wave superimposed on rated load
IFSM
60
A
Rating for fusing (t < 8.3 ms)
I2t
15
A2s
Operating junction and
storage temperature range
TJ, TSTG
- 55 to + 165
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2KBP02G | 2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 2KBP06G | 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 2KBP10G | 2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 2MBI100S-120 | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 2MBI400P-140 | 400 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2KBP06ML-36E4/51 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:托盘 零件状态:停產 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:600 |
| 2KBP06ML-5301E4/51 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:托盘 - 晶粒 零件状态:停產 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:600 |
| 2KBP06ML-5301E4/72 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:200 |
| 2KBP06ML-5303E4/51 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:托盘 零件状态:停產 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:600 |
| 2KBP06ML-6145E4/51 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:托盘 零件状态:停產 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:600 |
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