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参数资料
型号： 2KBP06M-E4/51
厂商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类： 桥式整流
英文描述： 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN
文件页数： 2/4页
文件大小： 86K
代理商： 2KBP06M-E4/51
2KBP005M thru 2KBP10M, 3N253 thru 3N259
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
Document Number: 88532
Revision: 15-Apr-08
2
Note:
(1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with, 0.47 x 0.47" (12 x 12 mm) copper pads
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST
CONDITIONS
SYMBOL
2KBP
005M
2KBP
01M
2KBP
02M
2KBP
04M
2KBP
06M
2KBP
08M
2KBP
10M
UNIT
3N253
3N254
3N255
3N256
3N257
3N258
3N259
Maximum instantaneous forward
voltage drop per diode
3.14 A
VF
1.1
V
Maximum DC reverse current at rated
DC blocking voltage per diode
TA = 25 °C
TA = 125 °C
IR
5.0
500
A
Typical junction capacitance per diode
4.0 V, 1 MHz
CJ
25
pF
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
2KBP
005M
2KBP
01M
2KBP
02M
2KBP
04M
2KBP
06M
2KBP
08M
2KBP
10M
UNIT
3N253
3N254
3N255
3N256
3N257
3N258
3N259
Typical thermal resistance (1)
RθJA
RθJL
30
11
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PREFERRED PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
2KBP06M-E4/45
1.895
45
30
Tube
2KBP06M-E4/51
1.895
51
600
Anti-static PVC tray
3N257-E4/45
1.895
45
30
Tube
3N257-E4/51
1.895
51
600
Anti-static PVC tray
Figure 1. Derating Curve Output Rectified Current
20
40
60
80
100
120
140
160 170
0
0.5
1.0
1.5
2.0
Capacitive Load
5.0
10
20
=
I(pk)
I(AV)
(Per Leg)
P.C.B. Mounted
with 0.47 x 0.47"
(12 x 12 mm)
Copper Pads
60 Hz Resistive or
Inductive Load
Ambient Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
O
u
tp
u
tC
u
rrent
(A)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
T
J = 150 °C
Single Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
1.0 Cycle
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PDF描述
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2KBP06G 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
2KBP10G 2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
2MBI100S-120 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
2MBI400P-140 400 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT
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参数描述
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2KBP06ML-5301E4/72 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:200
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