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参数资料
| 型号： | 2KBP06M-E4/51 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | 2KBP06M-E4/51 |
2KBP005M thru 2KBP10M, 3N253 thru 3N259
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88532
Revision: 15-Apr-08
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3
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
0
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
T
J = 100 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
0.1
1
10
100
1
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Polarity shown on front side of case: positive lead by beveled corner
0.125 x 45°
(3.2)
0.600 (15.24)
0.560 (14.22)
0.034 (0.86)
0.028 (0.76)
0.105 (2.67)
0.085 (2.16)
0.160 (4.1)
0.140 (3.6)
0.060
(1.52)
0.460 (11.68)
0.50 (12.7) MIN.
0.420 (10.67)
0.500 (12.70)
0.460 (11.68)
0.60
(15.2)
MIN.
DIA.
0.200 (5.08)
0.180 (4.57)
Case Style KBPM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2KBP02G | 2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 2KBP06G | 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 2KBP10G | 2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 2MBI100S-120 | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 2MBI400P-140 | 400 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2KBP06ML-36E4/51 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:托盘 零件状态:停產 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:600 |
| 2KBP06ML-5301E4/51 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:托盘 - 晶粒 零件状态:停產 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:600 |
| 2KBP06ML-5301E4/72 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:200 |
| 2KBP06ML-5303E4/51 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:托盘 零件状态:停產 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:600 |
| 2KBP06ML-6145E4/51 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:托盘 零件状态:停產 二极管类型:单相 技术:标准 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:600 |
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