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参数资料
| 型号： | 2N301 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 32 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 2N301 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2N3053A | 700 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N3055S | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N3055 | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N3107G4 | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3010 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
| 2N3011 | 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:All American Misc. 功能描述: |
| 2N3012 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N3012CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 |
| 2N3013 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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