型号: | 2N4338 |
厂商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | N-Channel JFET(最小栅源击穿电压-50V,最大饱和漏极电流0.6mA的N沟道结型场效应管) |
中文描述: | N沟道场效应(最小栅源击穿电压- 50V的最大饱和漏极电流0.6毫安的N沟道结型场效应管) |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 73K |
代理商: | 2N4338 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N4341 | N-Channel JFET(最小栅源击穿电压-50V,最大饱和漏极电流9mA的N沟道结型场效应管) |
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2N4392 | N-Channel JFET(最大导通电阻60Ω,夹断电流5pA的N沟道结型场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N4338 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-18 |
2N4338-2 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS JFET N-CH 3PIN TO-18 - Bulk |
2N4338-41 | 制造商:CALOGIC 制造商全称:CALOGIC 功能描述:N-Channel JFET Low Noise Amplifier |
2N4338-E3 | 功能描述:JFET 50V 0.6mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
2N4339 | 功能描述:JFET 50V 1.5mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |