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参数资料
| 型号： | 2N4338 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最小栅源击穿电压-50V，最大饱和漏极电流0.6mA的N沟道结型场效应管) |
| 中文描述： | N沟道场效应（最小栅源击穿电压- 50V的最大饱和漏极电流0.6毫安的N沟道结型场效应管） |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | 2N4338 |
2N4338/4339/4340/4341
4
Siliconix
P-37408—Rev. D, 04-Jul-94
Typical Characteristics (Cont’d)
1500
0
–3
–5
–4
–2
–1
1200
900
600
300
0
0.01
0.1
1
2
1.6
0.8
0.4
0
10
8
4
2
0
400
0
12
16
4
20
320
160
80
0
2
0
12
16
8
4
20
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Output Characteristics
On-Resistance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
Common-Source Forward Transconductance
vs. Drain Current
Output Characteristics
I
D
– Drain Current (mA)
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
g
f
–
I
D
T
A
= –55 C
125 C
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
V
GS
= 0 V
–0.6 V
–0.9 V
–0.1 V
–0.3 V
r
DS
@ I
D
= 100 A, V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V, f = 1 kHz
r
DS
g
os
V
GS(off)
= –1.5 V
–0.3 V
6
1.2
240
8
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
= –0.7 V
V
GS(off)
= –1.5 V
–1.2 V
–0.5 V
Output Characteristics
300
0
0.5
240
180
120
60
0
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
0.1
0.2
0.3
0.4
V
GS
= 0 V
–0.1 V
–0.2 V
–0.3 V
–0.4 V
V
GS(off)
= –0.7 V
–0.5 V
–
I
D
Output Characteristics
1
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
0.2
0.4
0.6
0.8
V
GS
= 0 V
–0.3 V
–0.6 V
–0.9 V
V
GS(off)
= –1.5 V
–1.2 V
25 C
–
I
D
A
–
I
D
A
r
D
–
)
S
g
–
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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