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参数资料
| 型号： | 2N4338 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最小栅源击穿电压-50V，最大饱和漏极电流0.6mA的N沟道结型场效应管) |
| 中文描述： | N沟道场效应（最小栅源击穿电压- 50V的最大饱和漏极电流0.6毫安的N沟道结型场效应管） |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | 2N4338 |
2N4338/4339/4340/4341
6
Siliconix
P-37408—Rev. D, 04-Jul-94
Typical Characteristics (Cont’d)
10
100
1 k
100 k
10 k
10
0
–12
–16
–20
–8
–4
8
6
4
2
0
5
0
–12
–20
–16
–8
–4
4
3
2
1
0
Common-Source Reverse Feedback
Capacitance vs. Gate-Source Voltage
–
C
r
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
DS
= 0 V
10 V
f = 1 MHz
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
Common-Source Input Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
–
C
i
V
DS
= 0 V
10 V
f = 1 MHz
20
16
12
8
4
0
Output Conductance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
T
A
= –55 C
125 C
Equivalent Input Noise Voltage vs. Frequency
f – Frequency (Hz)
V
DS
= 10 V
I
D
= 100 A
I
D
= I
DSS
3
2.4
1.8
0.8
0.4
0
0.01
0.1
1
V
GS(off)
= –1.5 V
25 C
S
g
–
(
e
n
/
√
)
–
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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