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参数资料
| 型号： | 2N5087D27Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 561K |
| 代理商： | 2N5087D27Z |
Typical Characteristics
Input and Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
04
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
CAP
AC
IT
AN
CE
(
p
F
)
f = 1 MHz
C obo
C ibo
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
50
100
150
200
250
300
350
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
TY
P
IC
A
L
P
U
L
S
E
D
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 5V
CB
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
C
O
L
E
C
T
O
R
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
CE
S
A
T
β = 10
25 °C
- 40 °C
125 °C
Base-Emitter Sa turation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-B
A
SE
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
S
A
T
25 °C
- 40 °C
125 °C
β = 10
Base Emitter ON Voltage vs
Collect or Current
0.1
1
10
25
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-B
A
S
E
M
IT
T
E
R
O
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
O
N
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
I
-
C
O
L
E
C
T
O
R
C
U
R
E
N
T
(
n
A
)
A
CB
O
°
V
= 40V
CB
2N5086
/
MMBT5086
/
2N5087
/
MMBT5087
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5086D26Z | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5086J05Z | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5087J18Z | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5087RLRM | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5087RLRE | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5087G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| 2N5087RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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