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参数资料
| 型号： | 2N5087D27Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 15/18页 |
| 文件大小： | 561K |
| 代理商： | 2N5087D27Z |
3
2N5086
/
MMBT5086
/
2N5087
/
MMBT5087
Typical Common Emitter Characteristics (f = 1.0 kHz)
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Common Emitt er
Charact eristics
-25
-20
-15
-10
-5
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
- COLLECTOR-EM ITTE R VOLTAGE (V)
H
A
R
A
C
T
ER
IS
T
IC
S
R
E
L
.
T
O
VA
L
U
E,
V
=
-5
.0
V
CE
T = -25 C
A
I = 1.0 mA
C
CE
hoe
h
and h
fe
ie
f = 1.0 kHz
°
Typical Common Emitt er
Charact eristics
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
0.01
0.1
1
10
100
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
H
A
RA
CT
E
R
IS
T
IC
S
RE
L
.T
O
V
A
L
U
E
,I
=
1
.0
m
A
C
T = -25 C
A
V
= -5.0V
CE
C
h ie
f = 1.0 kHz
°
h fe
hoe
Typical Common Emitt er
Charact eristics
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
C
H
A
R
A
C
TE
R
IS
T
IC
S
R
E
L.
TO
V
A
LU
E
,T
=
2
5
C
A
V
= -5.0V
CE
A
hoe
f = 1.0 kHz
h fe
h ie
°
I = 1.0 mA
C
h
and h
fe
oe
h ie
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5086D26Z | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N5087G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| 2N5087RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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