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参数资料
| 型号： | 2N5192 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | 2N5192 |
Revision history
2N5191 2N5192
8/9
4
Revision history
Table 4.
Revision history
Date
Revision
Changes
01-Dec-2000
1
Initial release.
14-Jan-2004
2
Technical migration from ST-Press to EDOCS
28-Jun-2007
3
Figures 2,3,4,5,6,7, 8 and figure 9 have been added.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5195 | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5194 | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5209RLRF | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5209RLRA | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5210RLRP | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5192 SL H | 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH TO126 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:新产品 标准包装:50 |
| 2N5192 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126 |
| 2N5192G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 80V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5192R | 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH TO126 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束 标准包装:1,000 |
| 2N5193 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTORPNP1A40VTO126 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR,PNP,1A,40V,TO126 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency Typ ft:2MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
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