- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录113472 > 2N5416S (MICROSEMI CORP) 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N5416S |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | BIP General Purpose Small Signal |
| 英文描述： | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | 2N5416S |
Data Sheet No. 2N5416S
Maximum Ratings
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2221AL | 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
| 2N3634 | 1000 mA, 140 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N3636 | 1000 mA, 175 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N3637 | 1000 mA, 175 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N4449 | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5416SJANTX | 制造商:n/a 功能描述:2N5416S DC85 N10D9H 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 2N5416UA | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 300V 1A 4-Pin UA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 300V 1A 4PIN UA - Bulk |
| 2N5416UA/TR | 功能描述:POWER BJT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，无引线 供应商器件封装:UA 标准包装:100 |
| 2N5417 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-39 |
| 2N5418 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SERIES 2N TRANSISTORS |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。