- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33271 > 2N5484RL1 (ON SEMICONDUCTOR) UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N5484RL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/38页 |
| 文件大小： | 464K |
| 代理商： | 2N5484RL1 |
当前第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页
4–116
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
JFET VHF/UHF Amplifiers
N–Channel — Depletion
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain – Gate Voltage
VDG
25
Vdc
Reverse Gate – Source Voltage
VGSR
25
Vdc
Drain Current
ID
30
mAdc
Forward Gate Current
IG(f)
10
mAdc
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
350
2.8
mW
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Gate – Source Breakdown Voltage
(IG = –1.0 Adc, VDS = 0)
V(BR)GSS
–25
—
Vdc
Gate Reverse Current
(VGS = –20 Vdc, VDS = 0)
(VGS = –20 Vdc, VDS = 0, TA = 100°C)
IGSS
—
–1.0
– 0.2
nAdc
Adc
Gate Source Cutoff Voltage
(VDS = 15 Vdc, ID = 10 nAdc)
2N5484
2N5486
VGS(off)
– 0.3
– 2.0
—
– 3.0
– 6.0
Vdc
ON CHARACTERISTICS
Zero – Gate –Voltage Drain Current
2N5484
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0)
2N5486
IDSS
1.0
8.0
—
5.0
20
mAdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Forward Transfer Admittance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 kHz)
2N5484
2N5486
yfs
3000
4000
—
6000
8000
mmhos
Input Admittance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 100 MHz)
2N5484
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 400 MHz)
2N5486
Re(yis)
—
100
1000
mmhos
Output Admittance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 kHz)
2N5484
2N5486
yos
—
50
75
mmhos
Output Conductance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 100 MHz)
2N5484
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 400 MHz)
2N5486
Re(yos)
—
75
100
mmhos
Forward Transconductance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 100 MHz)
2N5484
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 400 MHz)
2N5486
Re(yfs)
2500
3500
—
mmhos
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 5
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
2N5484
2N5486
1 DRAIN
2 SOURCE
3
GATE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5484 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 2N5485 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 2N5484 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N4416 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 2N5485 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5485 | 功能描述:JFET N-Chan JFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2N5485_D26Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| 2N5485_D26Z_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| 2N5485_D27Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| 2N5485_D74Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。