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参数资料
| 型号： | 2N5484RL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 33/38页 |
| 文件大小： | 464K |
| 代理商： | 2N5484RL1 |
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2N5484 2N5486
4–119
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
f, FREQUENCY (MHz)
30
10
bis @ IDSS
f, FREQUENCY (MHz)
5.0
Figure 6. Input Admittance (yis)
Figure 7. Reverse Transfer Admittance (yrs)
COMMON SOURCE CHARACTERISTICS
ADMITTANCE PARAMETERS
(VDS = 15 Vdc, Tchannel = 25°C)
f, FREQUENCY (MHz)
20
f, FREQUENCY (MHz)
10
Figure 8. Forward Transadmittance (yfs)
Figure 9. Output Admittance (yos)
g
is
,INPUT
CONDUCT
ANCE
(mmhos)
20
10
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
20
30
50 70 100
200 300
500 700 1000
b
is
,INPUT
SUSCEPT
ANCE
(mmhos)
g
fs
,FOR
W
ARD
TRANSCONDUCT
ANCE
(mmhos)
|b
fs
|,FOR
W
ARD
SUSCEPT
ANCE
(mmhos)
g
rs
,REVERSE
TRANSADMITT
ANCE
(mmhos)
b
rs
,REVERSE
SUSCEPT
ANCE
(mmhos)
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
g
os
,OUTPUT
ADMITT
ANCE
(mhos)
b
os
,OUTPUT
SUSCEPT
ANCE
(mhos)
3.0
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.7
0.5
1.0
2.0
10
20
30
50
70
100
200 300
500 700 1000
10
20
30
50 70 100
200 300
500 700 1000
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
30
50 70
100
200 300
500 700 1000
bis @ 0.25 IDSS
gis @ IDSS
gis @ 0.25 IDSS
brs @ IDSS
0.25 IDSS
grs @ IDSS, 0.25 IDSS
gfs @ IDSS
|bfs| @ IDSS
|bfs| @ 0.25 IDSS
bos @ IDSS and 0.25 IDSS
gos @ IDSS
gos @ 0.25 IDSS
gfs @ 0.25 IDSS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5484 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 2N5485 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 2N5484 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N4416 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 2N5485 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5485 | 功能描述:JFET N-Chan JFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2N5485_D26Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| 2N5485_D26Z_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| 2N5485_D27Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| 2N5485_D74Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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