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参数资料
型号： 2N5484RL1
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
封装： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件页数： 35/38页
文件大小： 464K
代理商： 2N5484RL1
2N5484 2N5486
4–121
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
f, FREQUENCY (MHz)
10
gig @ IDSS
f, FREQUENCY (MHz)
0.5
Figure 14. Input Admittance (yig)
Figure 15. Reverse Transfer Admittance (yrg)
COMMON GATE CHARACTERISTICS
ADMITTANCE PARAMETERS
(VDG = 15 Vdc, Tchannel = 25°C)
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 16. Forward Transfer Admittance (yfg)
Figure 17. Output Admittance (yog)
g
ig
,INPUT
CONDUCT
ANCE
(mmhos)
20
10
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
20
30
50 70 100
200 300
500 700 1000
b
ig
,INPUT
SUSCEPT
ANCE
(mmhos)
g
fg
,FOR
W
ARD
TRANSCONDUCT
ANCE
(mmhos)
b
fg
,FOR
W
ARD
SUSCEPT
ANCE
(mmhos)
g
rg
,REVERSE
TRANSADMITT
ANCE
(mmhos)
b
rg
,REVERSE
SUSCEPT
ANCE
(mmhos)
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
g
og
,OUTPUT
ADMITT
ANCE
(mmhos)
b
og
,OUTPUT
SUSCEPT
ANCE
(mmhos)
0.3
0.01
0.1
0.2
10
20
30
50
70
100
200 300
500 700 1000
10
20
30
50
70 100
200 300
500 700 1000
0.01
0.02
0.03
0.3
10
20
30
50
70 100
200 300
500 700 1000
big @ 0.25 IDSS
big @ IDSS
grg @ 0.25 IDSS
gfg @ IDSS
gfg @ 0.25 IDSS
brg @ 0.25 IDSS
bog @ IDSS, 0.25 IDSS
gog @ IDSS
gog @ 0.25 IDSS
0.2
0.005
0.007
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.05
0.07
0.1
0.2
0.5
0.7
1.0
brg @ IDSS
0.25 IDSS
gig @ IDSS, 0.25 IDSS
bfg @ IDSS
相关PDF资料
PDF描述
2N5484 Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
2N5485 Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
2N5484 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N4416 Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-72
2N5485 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2N5485 功能描述:JFET N-Chan JFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
2N5485_D26Z 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
2N5485_D26Z_Q 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
2N5485_D27Z 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
2N5485_D74Z 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
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