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参数资料
| 型号： | 2N5651 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 1/15页 |
| 文件大小： | 405K |
| 代理商： | 2N5651 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5656 | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
| 2N5655 | 0.5 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
| 2N5662 | 2000 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N5663R1 | 1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N5663 | 2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5652 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 2N5653 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| 2N5654 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 15MA I(DSS) | TO-92 |
| 2N5655 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 250V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5655/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor |
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