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参数资料
| 型号： | 2N5877 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封装： | METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/60页 |
| 文件大小： | 377K |
| 代理商： | 2N5877 |
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3–74
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Complementary Silicon
High-Power Transistors
. . . designed for general–purpose power amplifier and switching applications.
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
Low Leakage Current —
ICEX = 0.5 mAdc (Max) @ Rated Voltage
Excellent DC Current Gain —
hFE = 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc
High Current Gain — Bandwidth Product —
fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 0.5 A
MAXIMUM RATINGS (1)
Rating
Symbol
2N5877
2N5878
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
60
80
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
60
80
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak
IC
10
20
Adc
Base Current
IB
4.0
Adc
Total Device Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
150
0.857
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 200
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
θJC
1.17
_C/W
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
160
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
120
80
40
20
140
100
60
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N5877
2N5878
10 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60 – 80 VOLTS
150 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
NPN
REV 7
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N588 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-30 |
| 2N5880 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 15A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5881 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 15A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
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