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参数资料
| 型号： | 2N6040BA |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/61页 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | 2N6040BA |
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3–89
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Plastic Medium-Power
Complementary Silicon
Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.
High DC Current Gain —
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc —
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6040, 2N6043
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6041, 2N6044
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — 2N6042, 2N6045
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc — 2N6040,41, 2N6043,44
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc — 2N6042, 2N6045
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
MAXIMUM RATINGS (1)
Rating
Symbol
2N6040
2N6043
2N6041
2N6044
2N6042
2N6045
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
60
80
100
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
60
80
100
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak
IC
8.0
16
Adc
Base Current
IB
120
mAdc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
75
0.60
Watts
W/
_C
Total Power Dissipation @ TA = 25_C
Derate above 25
_C
PD
2.2
0.0175
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction,
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
θJC
1.67
_C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
θJA
57
_C/W
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
80
0
20
40
60
80
100
120
160
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
40
20
60
140
TC
4.0
0
2.0
1.0
3.0
TA
TC
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N6040
thru
2N6042
2N6043
thru
2N6045
*Motorola Preferred Device
DARLINGTON
8 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60 – 80 – 100 VOLTS
75 WATTS
*
CASE 221A–06
TO–220AB
PNP
NPN
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2N6041G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2N6042 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl SW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6042 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 100V TO-220 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-220 |
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