- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41438 > 2N6040BA (ON SEMICONDUCTOR) 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N6040BA |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/61页 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | 2N6040BA |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页当前第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页
2–13
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 8. Metal TO–204AA (Formerly TO–3), TO–204AE (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
10
60
2N3715
2N3791
30 min
3
0.3 typ
0.4 typ
5
4
150
MJ3000(2)
MJ2500(2)
1k min
5
150
80
2N3716
2N3792
30 min
3
0.3 typ
0.4 typ
5
4
150
2N5878
20/100
4
1
0.8
4
150
MJ3001 (2)
MJ2501 (2)
1k min
5
150
140
2N3442
20/70
4
117
250
MJ15011
MJ15012
20/100
2
200
325
MJ413
20/80
0.5
2.5
125
MJ423
30/90
1
2.5
125
400
BU323A (2)
150 min
6
7.5 typ
5.2 typ
6
175
MJ10007 (2)
30/300
5
1.5
0.5
5
10(1)
150
MJ10012 (2)
100/2k
6
15
6
175
12
60
2N6057(2)
2N6050(2)
750/18k
6
1.6 typ
1.5 typ
6
4(1)
150
80
2N6058(2)
2N6051(2)
750/18k
6
1.6 typ
1.5 typ
6
4(1)
150
100
2N6059 (2)
2N6052 (2)
750/18k
6
1.6 typ
1.5 typ
6
4(1)
150
15
60
2N3055
MJ2955
20/70
4
0.7 typ
0.3 typ
4
2.5
115
2N3055A
MJ2955A
20/70
4
0.8
115
2N6576 (2)
2k/20k
4
2
7
10
10–200(1)
120
2N5881
2N5879
20/100
6
1
0.8
6
4
160
80
2N5882
2N5880
20/100
6
1
0.8
6
4
160
90
2N6577 (2)
2k/20k
4
2
7
10
10–200(1)
120
MJ15015
MJ15016
20/70
4
0.7 typ
0.3 typ
4
1
180
2N6578 (2)
2k/20k
4
2
7
10
10–200(1)
120
140
MJ15001
MJ15002
25/150
4
2
200
150
MJ11018(2)
MJ11017(2)
100 min
15
3(1)
175
200
MJ11020 (2)
100 min
15
3(1)
175
MJ3281A
MJ1302A
60/175
0.1
30 typ
250
MJ11022 (2)
MJ11019 (2)
100 min
15
3(1)
175
MJ11021(2)
6/30
10
4
0.7
10
6 to 24
175
400/850
BUX48
8 min
10
2
0.4
10
175
2N6547
6/30
10
4
0.7
10
6to24
175
400/650
MJ16110
6/20
15
0.8 typ
0.1 typ
10
175
450/1000
BUX48A
8 min
8
2
0.4
10
175
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6042BU | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6043BG | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6045AJ | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6045BU | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6043AN | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6040G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6041 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl SW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6041G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2N6042 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl SW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6042 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 100V TO-220 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-220 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。