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参数资料
| 型号： | 2N6040BA |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 34/61页 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | 2N6040BA |
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2N6040 thru 2N6042 2N6043 thru 2N6045
3–92
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
20,000
0.1
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
200
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
10
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
0.7
7.0
PNP
2N6040, 2N6041, 2N6042
NPN
2N6043, 2N6044, 2N6045
Figure 9. Collector Saturation Region
3.0
0.3
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.5
1.0
2.0
10
30
1.8
IC = 2.0 A
TJ = 25°C
4.0 A
2.2
2.6
0.7
5.0
3.0
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
3.0
10
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 10. “On” Voltages
VBE @ VCE = 4.0 V
2.0
10,000
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
20
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 4.0 V
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
1.4
6.0 A
IB, BASE CURRENT (mA)
TJ = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
3.0
5.0
VCE = 4.0 V
20,000
0.1
200
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
10
0.7
7.0
10,000
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
3.0
5.0
3.0
7.0
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
3.0
0.3
1.0
0.5
1.0
2.0
10
30
1.8
2.2
2.6
0.7
5.0
20
1.4
3.0
7.0
5.0
3.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
3.0
10
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
2.0
7.0
5.0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4.0 V
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