- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41438 > 2N6040BA (ON SEMICONDUCTOR) 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N6040BA |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/61页 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | 2N6040BA |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页当前第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页
Selector Guide
2–16
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Audio
GENERAL DESIGN CURVES FOR POWER AUDIO OUTPUT STAGES
500
300
100
70
50
30
10
30
50
100
300
500
1000
16 OHMS
8 OHMS
4 OHMS
OUTPUT POWER (WATTS)
V
(BR)
CEO
(VOL
TS)
V(BR)CEO Required on Output and Driver Transistor
versus
Output Power for 4, 8 and 18 Ohm Loads
8 OHMS
4 OHMS
50
30
10
5.0
3.0
1.0
10
30
50
100
300
500
1000
OUTPUT POWER (WATTS)
PEAK
OUTPUT
CURRENT
(AMPS)
Output Transistor Peak Collector Current
versus
Output Power for 4, 8 and 16 Ohm Loads
16 OHMS
Another important parameter that must be considered before selecting the output transistors is the safe–operating area these
devices must withstand. For a complete discussion see Application Note AN485.
Table 9. Recommended Power Transistors for Audio/Servo Loads
RMS
Power
Output
NPN
PNP
Case
PD
Watts
@ 25
°C
VCEO
hFE @
Min/Max
IC
Amps
fT
MHz
Typ
ISB
Volts/Amps
To 25W
MJE15030
MJE15031
TO–220
50
150
20 min
4
30
14/3.6
MJE15032
MJE15033
TO–220
50
250
50 min
1
40
50/1
25 to 50W
2N3055A
MJ2955A
TO–204
120
20/70
4
3
60/2
MJ15001
MJ15002
TO–204
200
140
25/150
4
3
40/5
50 to 100W
MJ15015
MJ15016
TO–204
180
120
20/70
4
3
60/3
MJ15003
MJ15004
TO–204
250
140
25/150
5
3
100/1
MJ15020
MJ15021
TO–204
150
250
30 min
1
20
50/3
Over 100W
MJ15024
MJ15025
TO–204
250
15/60
8
80/2.2
MJ3281A
MJ1302A
TO–204
250
200
60/175
7
30
50/4
MJL3281A
MJL1302A
340G–01
150
200
60/175
7
30
40/4
MJ21194
MJ21193
TO–204
250
25/75
8
7
100/2
MJL21194
MJL21193
340G–01
200
25/75
8
7
100/2
The Power Transistors shown are provided for reference only and show device capability. The final choice of the Power Transis-
tors used is left to the circuit designer and depends upon the particular safe–operating area required and the mounting and heat
sinking configuration used.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6042BU | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6043BG | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6045AJ | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6045BU | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6043AN | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6040G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6041 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl SW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6041G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2N6042 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darl SW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6042 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 100V TO-220 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-220 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。