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参数资料
| 型号： | 2N5881 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封装： | METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/61页 |
| 文件大小： | 421K |
| 代理商： | 2N5881 |
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3–77
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Complementary Silicon
High-Power Transistors
. . . designed for general–purpose power amplifier and switching applications.
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N5879, 2N5881
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N5880, 2N5882
DC Current Gain —
hFE = 20 (Min) @ IC = 6.0 Adc
Low Collector — Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 7.0 Adc
High Current — Gain–Bandwidth Product —
fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 1.0 Adc
MAXIMUM RATlNGS (1)
Rating
Symbol
2N5879
2N5881
2N5880
2N5882
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
60
80
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
60
80
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak
IC
15
30
Adc
Base Current
IB
5.0
Adc
Total Device Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
160
0.915
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 200
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
θJC
1.1
_C/W
(1) Indicates JEDEC registered data. Units and conditions differ on some parameters and
re–registration reflecting these changes has been requested. All above values meet or exceed
present JEDEC registered data.
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
160
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
120
80
40
20
140
100
60
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N5879
2N5880
2N5881
2N5882
*Motorola Preferred Device
15 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60 – 80 VOLTS
160 WATTS
*
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
PNP
NPN
REV 7
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