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参数资料
| 型号： | 2N5881 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封装： | METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 34/61页 |
| 文件大小： | 421K |
| 代理商： | 2N5881 |
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2N5879 2N5880 2N5881 2N5882
3–80
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1000
0.2
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
10
0.3
0.5 0.7
2.0
3.0
5.0 7.0
20
70
30
20
100
50
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
200
500
VCE = 4.0 V
1.0
10
PNP
2N5879, 2N5880
NPN
2N5881, 2N5882
Figure 9. Collector Saturation Region
2.0
0.03
IB, BASE CURRENT (AMP)
0
0.05
0.1
0.2
0.5
3.0
0.8
0.4
IC = 3.0 A
TJ = 25°C
6.0 A
1.2
1.6
0.07
0.3
12 A
2.0
IB, BASE CURRENT (mAdc)
0
0.8
0.4
TJ = 25°C
1.2
1.6
2.0
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
5.0 7.0
20
1.6
1.2
0.8
0.4
0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 10. “On” Voltages
10
VBE @ VCE = 4.0 V
3.0
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.6
1.2
0.8
0.4
0
TJ = 25°C
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
700
300
1000
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
10
0.3
0.5 0.7
2.0
3.0
5.0 7.0
20
70
30
20
100
50
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = +150°C
25
°C
–55
°C
200
500
VCE = 4.0 V
1.0
10
700
300
0.7 1.0
2.0
0.03
0.05
0.1
0.2
0.5
3.0
0.07
0.3
0.7 1.0
2.0
IC = 3.0 A
6.0 A
12 A
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
5.0 7.0
20
10
3.0
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 2.0 V
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