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参数资料
| 型号： | 2N6031 |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 16 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封装： | TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | 2N6031 |
MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
140
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
140
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
7.0
V
Continuous Collector Current
IC
16
A
Peak Collector Current
ICM
20
A
Continuous Base Current
IB
5.0
A
Power Dissipation
PD
200
W
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
-65 to +200
°C
Thermal Resistance
ΘJC
0.875
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
ICBO
VCB=140V
2.0
mA
ICEX
VCE=140V, VEB(off)=1.5V
2.0
mA
ICEX
VCE=140V, VEB(off)=1.5V, TC=150°C
7.0
mA
ICEO
VCE=70V
2.0
mA
IEBO
VEB=7.0V
5.0
mA
BVCEO
IC=200mA
140
V
VCE(SAT)
IC=10A, IB=1.0A
1.0
V
VCE(SAT)
IC=16A, IB=4.0A
2.0
V
VBE(SAT)
IC=10A, IB=1.0A
1.8
V
VBE(ON)
VCE=2.0V, IC=8.0A
1.5
V
hFE
VCE=2.0V, IC=8.0A
15
60
hFE
VCE=2.0V, IC=16A
4.0
fT
VCE=20V, IC=1.0A, f=500kHz
1.0
MHz
Cob
VCB=10V, IE=0, f=100kHz
1000
pF
hfe
VCE=10V, IC=4.0A, f=1.0kHz
15
2N6031
PNP SILICON
POWER TRANSISTOR
140 VOLTS, 200 WATTS
TO-3 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R0 (27-August 2009)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6031 is
a 16 Ampere PNP Silicon Power Transistor
designed for use in high power amplifiers and
high voltage switching regulator circuits.
MARKING: FULL PART NUMBER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2N6037 | NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N6037 | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N6039 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N6034G | 功能描述:达林顿晶体管 4A 40V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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