- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30453 > 2N6035 (MOTOROLA INC) 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N6035 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 243K |
| 代理商： | 2N6035 |
2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
6.0 k
0.04
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
0.06
0.1
0.2
0.6
1.0
4.0
600
800
400
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
1.0 k
2.0 k
VCE = 3.0 V
0.4
2.0
PNP
2N6035, 2N6036
NPN
2N6038, 2N6039
Figure 9. Collector Saturation Region
3.4
0.1
IB, BASE CURRENT (mA)
0.6
0.2
1.0
2.0
10
100
2.2
1.8
IC =
0.5 A
TJ = 25°C
1.0 A
2.6
3.0
0.5
5.0
2.2
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
2.0
4.0
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 10. “On” Voltages
VBE @ VCE = 3.0 V
1.0
4.0 k
3.0 k
TC = 125°C
25
°C
– 55
°C
20
50
6.0 k
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
0.06
0.1
0.2
0.6
1.0
4.0
600
800
400
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
1.0 k
2.0 k
VCE = 3.0 V
0.4
2.0
4.0 k
3.0 k
TJ = 125°C
25
°C
– 55
°C
1.4
1.0
2.0 A
4.0 A
3.4
0.1
IB, BASE CURRENT (mA)
0.6
0.2
1.0
2.0
10
100
2.2
1.8
IC =
0.5 A
TJ = 25°C
1.0 A
2.6
3.0
0.5
5.0
20
50
1.4
1.0
2.0 A
4.0 A
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
2.0
4.0
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3.0 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6038 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N6039 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N6295 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N6044LEADFREE | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6042LEADFREE | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6035/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Plastic Darlington Silicon Power Transistors |
| 2N6035_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N6035_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N6035G | 功能描述:达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6036 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。