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参数资料
| 型号： | 2N6426RL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | 2N6426RL1 |
2N6426 2N6427
http://onsemi.com
95
SMALL–SIGNALCHARACTERISTICS
Figure 6. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 7. High Frequency Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (A)
2.0
200k
5.0
0.04
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
TJ = 25°C
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.5
|h
fe
|,SMALL-SIGNAL
CURRENT
GAIN
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0
4.0
10
20
40
Cibo
Cobo
0.5
1.0
2.0
0.5
10
20
50
100 200
500
VCE = 5.0 V
f = 100 MHz
TJ = 25°C
100k
70k
50k
30k
20k
10k
7.0k
5.0k
3.0k
2.0k
7.0 10
20
30
50 70 100
200 300
500
TJ = 125°C
25°C
-55°C
VCE = 5.0 V
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
5.0 10 20 50 100 200 500 1000
TJ = 25°C
IC = 10 mA 50 mA
250 mA 500 mA
Figure 10. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.6
5.0
-1.0
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
500
VBE(sat) @ IC/IB = 1000
R
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
TJ = 25°C
VBE(on) @ VCE = 5.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 1000
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200 300
500
25°C TO 125°C
-55°C TO 25°C
*RqVC FOR VCE(sat)
qVB FOR VBE
25°C TO 125°C
-55°C TO 25°C
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3.0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6426RLRM | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC3569 | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC3569-L | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC3569-K | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5486ZL1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6426RLRA | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6426RLRAG | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6427 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6427_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Darlington Transistor |
| 2N6427_D26Z | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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