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参数资料
| 型号： | 2N6426RL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | 2N6426RL1 |
2N6426 2N6427
http://onsemi.com
96
Figure 12. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
2.0
5.0
1.0
0.5
0.2
0.1
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
20
50
10
200
500
100
1.0k
2.0k
5.0k
10k
Figure 13. Active Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1.0k
0.4
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.6
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20
40
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
TA = 25°C
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
SINGLE PULSE
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
ZθJC(t) = r(t) RθJC TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
ZθJA(t) = r(t) RθJA TJ(pk) - TA = P(pk) ZθJA(t)
1.0 ms
100 s
TC = 25°C
1.0 s
Design Note: Use of Transient Thermal Resistance Data
FIGURE A
tP
PP
t1
1/f
DUTYCYCLE + t1 f +
t1
tP
PEAK PULSE POWER = PP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2N6427 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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