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参数资料
| 型号： | 2N6497BUBU |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 34/61页 |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | 2N6497BUBU |
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2N6497 2N6498
3–139
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
100
Figure 7. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
50
30
20
1.4
Figure 8. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.0
0.6
0.4
0.2
0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 5.0
4.0
Figure 9. “On” Voltages
IB, BASE CURRENT (mA)
0
0.01
0.05
0.1
0.2
1.0
10
3.2
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
70
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
,C
OLLE
CT
OR
C
URREN
T
(A
)
I C
– 0.2
– 0.1
REVERSE
FORWARD
TJ = 25°C
IC = 1.0 A
2.0 A
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
+ 4.0
Figure 10. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
+ 3.0
+ 1.0
0
– 3.0
θVB for VBE
*
θVC for VCE(sat)
*APPLIES FOR IC/IB v
hFE @VCE + 10 V
3
Figure 11. Collector Cutoff Region
VBE @ VCE = 10 V
1.2
0.8
0.02
0.5
2.4
1.6
0.8
+ 2.0
– 1.0
– 2.0
104
103
100
10–1
10–2
VCE = 10 V
10
7.0
0.05
0.1
0.2
0.3
1.0
0.07
0.7
0.5
2.0
3.0
5.0
3.0 A
5.0 A
2.0
5.0
VCE(sat) @ IC/IB = 5.0
IC/IB = 2.5
0.05
0.1
0.2
0.3
1.0
0.07
0.7
0.5
2.0 3.0
5.0
0.05
0.1
0.2
0.3
1.0
0.07
0.7
0.5
2.0 3.0
5.0
– 55 to 25
°C
–55
°C to 25°C
25
°C to 150°C
25
°C to 150°C
25
°C
100
°C
VCE = 200 V
TJ = 150°C
102
101
0
+ 0.6
+ 0.4
+ 0.2
1000
0.4
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
4.0 6.0 10
20
60
200 400
40
0.6 1.0
2.0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
500
100
70
50
TJ = 25°C
Cib
Cob
Figure 12. Capacitance
700
200
300
30
20
100
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