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参数资料
| 型号： | 2N6500 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 90 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2N6500 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N3206 | 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
| 2N6422 | 2 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5605 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N6504 | 功能描述:SCR 50V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| 2N6504/D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers |
| 2N6504_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS |
| 2N6504G | 功能描述:SCR 50V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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