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参数资料
| 型号： | 2N6515D26Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2N6515D26Z |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
2N65
15
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings T
a=25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics T
a=25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: Pulse Width
≤300s, Duty Cycle≤2%
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
250
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
250
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6
V
IC
Collector Current
500
mA
PC
Collector Dissipation
625
mW
TJ
Junction Temperature
150
°C
TSTG
Storage Temperature
-55 ~ 150
°C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
BVCEO
* Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC=1mA, IB=0
250
V
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC=100A, IE=0
250
V
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE=10A, IC=0
6
V
ICBO
Collector Cut-off Current
VCB=150V, IE=0
50
nA
IEBO
Emitter Cut-off Current
VBE=5V, IC=0
50
nA
hFE
* DC Current Gain
IC=1mA, VCE=10V
IC=10mA, VCE=10V
IC=30mA, VCE=10V
IC=50mA, VCE=10V
IC=100mA, VCE=10V
35
50
45
25
300
220
VCE (sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC=10mA, IB=1mA
IC=20mA, IB=2mA
IC=30mA, IB=3mA
IC=50mA, IB=5mA
0.3
0.35
0.5
1
V
VBE (sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC=10mA, IB=1mA
IC=20mA, IB=2mA
IC=30mA, IB=3mA
0.75
0.85
0.9
V
Cob
Output Capacitance
VCB=20V, IE=0, f=1MHz
6
pF
fT
Current Gain Bandwidth Product
IC=10mA, VCE=20V,
f=20MHz
40
200
MHz
VBE(on)
Base Emitter On Voltage
IC=100mA, VCE=10V
2
V
2N6515
High Voltage Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO= 250V
Collector Dissipation: PC (max)=625mW
Complement to 2N6518
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6515TA | 500 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2N6518BU | 500 mA, 250 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N651 | 500 mA, 30 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N651 | 500 mA, 45 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6515RLRM | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6515RLRMG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6515TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6516 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N6516BU | 功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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