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参数资料
| 型号： | 2N6517C |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | 2N6517C |
2N6517
—
NPN
Epit
axial
Silicon
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
2N6517 Rev. B1
1
August 2010
2N6517
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
High Voltage Transistor
Collector Dissipation: PC(max) = 625mW
Complement to 2N6520
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
2N6517
2N6517C
350
400
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
2N6517
2N6517C
350
400
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6
V
IC
Collector Current
500
mA
PC
Collector Power Dissipation
625
mW
TJ
Junction Temperature
150
°C
TSTG
Storage Temperature
-55 ~ 150
°C
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Max.
Units
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
2N6517
2N6517C
IC = 100A, IE = 0
350
400
V
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage *
2N6517
2N6517C
IC = 1mA, IB = 0
350
400
V
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10A, IC = 0
6
V
ICBO
Collector Cut-off Current
VCB = 250V, IE = 0
50
nA
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB = 5V, IC = 0
50
nA
hFE
DC Current Gain *
2N6517/2N6517C
2N6517C
VCE = 10V, IC = 1mA
VCE = 10V, IC = 10mA
VCE = 10V, IC = 30mA
VCE = 10V, IC = 50mA
VCE = 10V, IC = 100mA
VCE = 10V, IC = 5mA
20
30
20
15
50
200
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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