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参数资料
| 型号： | 2N6517C |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | 2N6517C |
2N6517
—
NPN
Epit
axial
Silicon
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
2N6517 Rev. B1
2
Electrical Characteristics (Continued) Ta = 25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: Pulse Width
≤ 300s, Duty Cycle ≤ 2%
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Max.
Units
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 10mA, IB = 1mA
IC = 20mA, IB = 2mA
IC = 30mA, IB = 3mA
IC = 50mA, IB = 5mA
0.3
0.35
0.5
1
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 10mA, IB = 1mA
IC = 20mA, IB = 2mA
IC = 30mA, IB = 3mA
0.75
0.85
0.9
V
Cob
Output Capatitance
VCB = 20V, IE = 0, f = 1MHz
6
pF
fT
Current Gain Bandwidth Product *
IC = 10mA, VCE = 20V, f = 20MHz
40
200
MHz
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 100mA, VCE = 10V
2
V
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2N6517CTA | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6517CTA_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6517G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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