- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30461 > 2N6517C (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N6517C |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | 2N6517C |
2N6517
—
NPN
Epit
axial
Silicon
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
2N6517 Rev. B1
5
Physical Dimensions
0.46
±0.10
1.27TYP
(R2.29)
3.86MAX
[1.27
±0.20]
1.27TYP
[1.27
±0.20]
3.60
±0.20
14.47
±0.40
1
.02
±0.10
(0.25)
4.58
±0.20
4.58
+0.25
–0.15
0.38
+0.10
–0.05
0.38
+0.10
–0.05
TO-92
Dimensions in Millimeters
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6518BU | 500 mA, 250 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N651 | 500 mA, 30 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N651 | 500 mA, 45 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N652 | 500 mA, 45 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N652A | 500 mA, 45 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6517CBU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/350V/625mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6517CTA | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6517CTA_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6517G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6517G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。